Descrição:

Tecnologia decélula meio curtada

Novo design de circuito, corrente interna mais baixa, wafer dopado com GA com menor perda de Rs, atenuação <2% (1º ano) / <0,55% (linear)

Risco de hot-spot reduzido

Projeto de circuito especial com temperatura de ponto quente muito mais baixa

Menor custo nivelado de energia (LCOE)

2% mais geração de energia, menor custo nivelado de energia

Excelente desempenho anti-PD

2 vezes o teste anti-PD padrão da indústria pela TUV SUD

Caixa de junção

IP68 Alto nível à prova d'água

PARÂMETROS ELÉTRICOS

Desempenho em STC (Tolerância de potência ~+3%)
Potência Máxima (Pmax/W): 560
Tensão Operacional (Vmpp/V): 42.3
Corrente Operacional (Impp/A): 13.25
Tensão de circuito aberto (Voc/v): 50.1
Corrente de curto-circuito (Isc/A): 13.98
Eficiência do Módulo nm(%): 21.7

Desempenho em NMOT
Potência Máxima (Pmax/W): 417
Tensão Operacional (Vmpp/V): 39.4
Corrente Operacional (Impp/A): 10.58
Tensão de circuito aberto (Voc/v): 46.9
Corrente de curto-circuito (Isc/A): 11.26

ESPECIFICAÇÕES MECÂNICAS
Tipo de célula: Monocrystalline
Dimensões da célula: 182*182mm
Arranjo celular: 144 (6*24)
Peso: 29kg (63.9Ibs)
Dimensões do módulo: 2278*1134*30mm(89.69*44.65*1.18inches)
Comprimento do cabo: retrato 300mm/paisagem 12000mm/customizado
Tamanho da seção transversal do cabo: TUV: 4mm² (0,006inches²)/UL: 12AWG
Vidro frontal:Vidro temperado com revestimento AR de 3,2 mm (0,13 polegadas)
Nº de diodos de bypass: 3/6
Configuração de embalagem: 36pcs/ caixa, 720pcs/40hq
Configuração de embalagem (para EUA):
Quadro: Liga de alumínio anodizado
Caixa de junção: IP68

COEFICIENTE DE TEMPERATURA
Coeficiente de temperatura Pmax: -0,36%/°C
Coeficiente de temperatura Voc: -0,26%/°C
Coeficiente de temperatura Isc: +0,043%/°C
NMOT: 43+2°C